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先丰纳米 ZnNiAl-LDH 二维层状三金属氢氧化物

经营区域:全国

先丰纳米

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XFL03-500mg

状态:浅绿色粉末,元素含量:C:~7 wt%; O:~37 wt%

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 Wse2 连续薄膜

经营区域:全国

先丰纳米

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XF216

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 Wse2(三角片)

经营区域:全国

先丰纳米

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XF217

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 WS2 连续薄膜

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先丰纳米

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XF218

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 ReS2 连续薄膜

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先丰纳米

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XF219

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:1T 制备方法:APCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 ReSe2 连续薄膜

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XF220

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:1T 制备方法:APCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 SnS2 连续薄膜

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XF221

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 SnSe2 连续薄膜

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XF222

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝 宝 石 基 底 PtSe2 连续薄膜

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先丰纳米

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XF223

尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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先丰纳米 2D Semiconductors CVD 蓝宝石基底单层 Wse2 连续薄膜

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尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:Hexagonal 制备方法:LPCVD

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